Resultados: 31
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 560V 21A TO220-3
Hoja de datos
399En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 95 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 24.3A TO247-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
111En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24.3 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 104.9 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
135En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 21 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
27En existencias
1.200Fecha prevista: 05/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 560V 21A I2PAK-3
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 95 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
Plazo producción 11 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 45 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube