Resultados: 31
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3 1.452En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 95 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY 1.900En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 680 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY 2.956En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.5 A 950 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY 3.804En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 21 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3 435En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.7 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3 397En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 66 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY 2.125En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 3.2 A 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 3.9 V 13 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3 583En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 63 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY 3.468En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 7.6 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 32 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 274En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 255 nC - 55 C + 150 C 415 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3 2.540En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY 261En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 4.5 A 950 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 22 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3 868En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 34En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34.6 A 81 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 200 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 1.321En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 252 nC - 55 C + 150 C 415 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3 1.432En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 32 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 170 nC - 55 C + 150 C 284 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3 531En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 15A TO220-3 306En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 63 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 489En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3 226En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 34.5 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY 6En existencias
2.500Fecha prevista: 11/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3.2 A 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 3.9 V 15 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 7.3A TO220-3 249En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 21 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 11A TO220-3 202En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 24.3A TO220-3 240En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24.3 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 104.9 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 188En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34.6 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 150 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement CoolMOS Tube