MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120 de STMicroelectronics se fabrican con materiales de banda prohibida amplia avanzados e innovadores. Esto da lugar a una resistencia de encendido por área de unidad sin parangón y un muy buen rendimiento de conmutación prácticamente independiente de la temperatura. Las destacadas propiedades térmicas del material SiC y el paquete HiP247™patentado permiten a los diseñadores utilizar un perfil habitual en el sector con capacidades térmicas mejoradas significativamente. Estas características hacen que el dispositivo se adapte perfectamente a aplicaciones de densidad de alta eficiencia y alta potencia.
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
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Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
14En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
Hoja de datos
5En existencias
600Fecha prevista: 05/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
Hoja de datos
1.200Fecha prevista: 12/03/2027
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 600

SiC MOSFETS SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
1.985Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
1.997Fecha prevista: 26/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Hoja de datos
400Fecha prevista: 29/01/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 600

SiC MOSFETS


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
996Fecha prevista: 01/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
Hoja de datos
1.200Fecha prevista: 05/02/2027
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 600

SiC MOSFETS SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Hoja de datos
1.800Fecha prevista: 29/01/2027
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 600

SiC MOSFETS SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
Hoja de datos
599Fecha prevista: 28/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 600

SiC MOSFETS SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
Hoja de datos
600Fecha prevista: 21/05/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an
Hoja de datos
2.089Fecha prevista: 11/06/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
100Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 25 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 25 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 36 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 25 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS
STMicroelectronics SCT055H65G3AG
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 25 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

SiC MOSFETS