MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Qrr) and recovery time (trr), combined with low RDS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Resultados: 19
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 packag 377En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 99 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 44 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag 1.008En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 99 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 44 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package 556En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 36 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 118 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package 2.369En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 390 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 17 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H 1.501En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 1 Channel 600 V 45 A 84 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 52 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea 407En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 36 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 118 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in 816En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 115 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 46 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in 59En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 600

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 80 Ohms - 25 V, 25 V 4.75 V 55 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET 192En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 200

Si N-Channel 650 V 64 A 35 mOhms AQG 324 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET 45En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 200

Si N-Channel 650 V 32 A 89 mOhms AQG 324 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 400 V, 50 mOhm typ., 41 A MDmesh DM6 Power MOSFET in 439En existencias
1.000Fecha prevista: 10/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 41 A 65 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 53 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 61 mOhm typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in 995En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 38 A 71 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 57 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package 733En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 338 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 15.3 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in 7En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 72 A 39 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 118 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in 1.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 80 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 55 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape


STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
1.200Fecha prevista: 23/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 600

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 97 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 52.6 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in 31En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole I2PAK-3 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 80 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 55 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 84 mOhm typ., 29 A MDmesh DM6 Power MOSFET in No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600
Bobina: 600

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 99 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 46 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement AEC-Q101 Reel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 115 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 46 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel