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STHU32N65DM6AG

Name: STMicroelectronics STHU32N65DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STHU32N65DM6AG
Price: 4.33 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STHU32N65DM6AG

Fabr. N.º:

STHU32N65DM6AG

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 600)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	4,33 €	4,33 €
	3,04 €	30,40 €
	2,63 €	263,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 600)
	2,52 €	1.512,00 €
	2,45 €	2.940,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	37 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	97 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.75 V
Qg (carga de compuertas):	52.6 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	320 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Peso unitario:	2,320 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Japón
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Q_rr) and recovery time (t_rr), combined with low R_DS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.