QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Qorvo FET de GaN DC-3.5GHz 100W 28V GaN
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 25
Múlt.: 25

NI-360 N-Channel 28 V 12 A - 7 V, + 2 V - 2.9 V 144 W
Qorvo FET de GaN DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN
Hoja de datos
Comentarios de Producto
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5
Múlt.: 5

SMD/SMT DIE N-Channel 80 mA - 40 C + 85 C 8.9 W
Qorvo FET de GaN 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT QFN-16 32 V 250 mA - 40 C + 85 C
Qorvo FET de GaN DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
Hoja de datos
Comentarios de Producto
Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50

Die N-Channel
Qorvo FET de GaN DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
Hoja de datos
9En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

NI-650 N-Channel
Qorvo FET de GaN DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 25
Múlt.: 25

SMD/SMT NI-360 N-Channel 36 V 12 A 117 W
Qorvo FET de GaN DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 25
Múlt.: 25

SMD/SMT N-Channel 36 V 12 A 117 W
Qorvo FET de GaN DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB
Hoja de datos
Comentarios de Producto
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50

Die N-Channel
Qorvo FET de GaN DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB
Hoja de datos
Comentarios de Producto
Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50

Die N-Channel
Qorvo FET de GaN DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
Hoja de datos
Comentarios de Producto
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50

Die N-Channel
Qorvo FET de GaN DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 25
Múlt.: 25

Screw Mount NI-360 N-Channel 32 V 7.32 A - 40 C + 85 C 86 W
Qorvo FET de GaN DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
Hoja de datos
Comentarios de Producto
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50

SMD/SMT Die N-Channel 32 V 1.7 A - 65 C + 150 C 34.5 W
Qorvo FET de GaN 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.3 A + 225 C 33 W
Qorvo FET de GaN 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.8 A + 225 C 49 W
Qorvo FET de GaN DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 25
Múlt.: 25

SMD/SMT NI-360 N-Channel 32 V 7.32 A - 40 C + 85 C 86 W
Qorvo T1G4020036-FL
Qorvo FET de GaN DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 25
Múlt.: 25

NI-650 N-Channel