SSM6x N- & P-Channel MOSFETs

Toshiba SSM6x N- and P-Channel MOSFETs with high-speed switching operate as both power management and analog switches. These MOSFETs provide very low on-resistance (as low as 1.1mΩ to a 115mΩ maximum) for different gate-to-source voltage ranges. The SSM6x MOSFETs are available in small profile packages with surface mount compatibility. These MOSFETs offer a low drain to source on-resistance, operate as DC-to-DC converters, and drive a 1.2V to 4.5V gate voltage. The Toshiba SSM6x MOSFETs deliver less drain power dissipation (up to 150mW), producing less heat while operating within a 12V to 100V input voltage range.

Resultados: 17
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V 590.951En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET MOSFET, DUAL P-CH, 20V, 6A, TSOP-F 7.608En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V 17.992En existencias
61.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 2 Channel 100 V 2 A 84 mOhms, 84 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 3.1 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET MOSFET, N/P-CH, 30V, 4A, TSOP-F 11.939En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Reel

Toshiba MOSFET MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP 26.948En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si AEC-Q101 Reel, Cut Tape

Toshiba MOSFET Silicon N-channel MOS (U-MOSIX-H) 9.600En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Reel
Toshiba MOSFET TSOP6F S-MOS(LF) 11.838En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Reel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 118.883En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 750 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 340 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET TSOP6F S-MOS(LF) 11.605En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Reel

Toshiba MOSFET MOSFET, N-CH, 100V, 10A, TSOP-F 2.660En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Reel

Toshiba MOSFET TSOP6F S-MOS(LF) 11.582En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Reel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V 2.844En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 1 Channel 12 V 4.8 A 26 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V 11.929En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 1.7 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q100 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V 3.906En existencias
9.000Fecha prevista: 04/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 32.5 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V 5.106En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 5.340En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 750 mOhms, 750 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 340 pC - 55 C + 150 C 285 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
123.000Fecha prevista: 06/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 51 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel