SSM6P816R,LF

Toshiba
757-SSM6P816RLF
SSM6P816R,LF

Fabr.:

Descripción:
MOSFET MOSFET, DUAL P-CH, 20V, 6A, TSOP-F

Modelo ECAD:
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-,-- €
Precio total:
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Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
0,688 € 0,69 €
0,428 € 4,28 €
0,277 € 27,70 €
0,211 € 105,50 €
0,19 € 190,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
0,162 € 486,00 €
0,149 € 894,00 €
0,134 € 1.206,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Reel
Cut Tape
Marca: Toshiba
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Tailandia
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

SSM6x N- & P-Channel MOSFETs

Toshiba SSM6x N- and P-Channel MOSFETs with high-speed switching operate as both power management and analog switches. These MOSFETs provide very low on-resistance (as low as 1.1mΩ to a 115mΩ maximum) for different gate-to-source voltage ranges. The SSM6x MOSFETs are available in small profile packages with surface mount compatibility. These MOSFETs offer a low drain to source on-resistance, operate as DC-to-DC converters, and drive a 1.2V to 4.5V gate voltage. The Toshiba SSM6x MOSFETs deliver less drain power dissipation (up to 150mW), producing less heat while operating within a 12V to 100V input voltage range.