Resultados: 26
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial


Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
3.974En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
747En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 346 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
753En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 141 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
355En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.019En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
861En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
437En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
653En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 30 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
434En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.300En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
460En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
477En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
254En existencias
240Fecha prevista: 09/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
132En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
61En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
320En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 19 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
342En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
18En existencias
1.200Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
29En existencias
240Fecha prevista: 29/04/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
2.160Fecha prevista: 06/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement


Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 51 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 44 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
Plazo producción 52 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 217 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 27 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC