Resultados: 51
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET 13.060En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 2 Channel 20 V 4.5 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 3.1 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 1.089En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 117 A 5.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC 32.189En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 86 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 15 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 30V 78A 3.2mOhm 36nC Qg 7.769En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 78 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 54 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement HEXFET Tube
Infineon Technologies MOSFET 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC 3.359En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 31 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC 4.368En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 120 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 41 nC - 55 C + 150 C 3.6 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 1.224En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency 4.980En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 128 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 27 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 873En existencias
1.800Fecha prevista: 02/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 315 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 161 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 1.622En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 201 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 2.068En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 351 A 1.23 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency 1.294En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 143 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 33 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 1.693En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 3.9 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 337En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 6.4 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 2.134En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 129 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 1.356En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 302 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg 163.992En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.3 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 1.930En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 139 A 2.85 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 1.326En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 191 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 124 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg 3.209En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 260 A 1.95 mOhms - 20 V, 20 V 1.9 V 86 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement HEXFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 228En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 293 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 203 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 113En existencias
1.000Fecha prevista: 28/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 198 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 203 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 30V 78A 4.8mOhm 15nC Qg 3.778En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 92 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 23 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement HEXFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 2.386En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 282 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 1.736En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 184 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 103 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube