Resultados: 26
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY 3.751En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3 3.671En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 64 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3 849En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 560 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 60 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3 2.284En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 780 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 41 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY 1.361En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.1 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3 1.137En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 117 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 850V 54.9A TO247-3 294En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 54.9 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 288 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3 526En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 560 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 60 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3 1.336En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3 212En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY 23.407En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 2.7 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 12 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3 130En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 650 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3 487En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 780 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 41 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 377En existencias
500Fecha prevista: 26/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3 887En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.1 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3 42En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.1 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3 840En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3 35En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3 255En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3 255En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 117 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3 366En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3 490En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 780 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 41 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3 302En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3 168En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 560 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3 108En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube