MOSFET de potencia de canal P de 12 V-250 V

Los MOSFET de potencia de canal P de 12 V-250 V de Infineon ofrecen al diseñador una nueva opción que puede simplificar los circuitos al mismo tiempo que optimiza el rendimiento. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es la reducción de la complejidad del diseño en aplicaciones de potencia media y baja. Los MOSFET de potencia de canal P son ideales para la protección de baterías, la protección contra inversión de la polaridad, cargadores de batería lineales, conmutación de cargas, convertidores CC-CC y aplicaciones de accionamiento de baja tensión.

Resultados: 27
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 32.950En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 35 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 63 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET P-CHANNEL (NEGATIVE) 12.618En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 60 V 3.44 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 2.983En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 22 A 111 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 59 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 5.400En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 150 V 9 A 420 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 43 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 4.616En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 13.7 A 186 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 1.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 13.8 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 2.241En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 16.4 A 90 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V 25.486En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 290 mA 5.5 Ohms 20 V 2 V 290 pC - 55 C + 150 C 960 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V 2.417En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 260 mOhms 20 V 4 V 10.8 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V 2.462En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 250 mOhms 20 V 2 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V 9.028En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 550 mA 1.7 Ohms 20 V 2 V 870 pC - 55 C + 150 C 1.04 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 1.643En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 3.9 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 337En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 6.4 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET P-Channel 812En existencias
2.000Fecha prevista: 19/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 60 V 100 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 281 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 2.202En existencias
3.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 150 V 41 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 224 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 5.821En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 2.8 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 20.2 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 915En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 63 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 219 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 807En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 62 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 974En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole P-Channel 1 Channel 100 V 62 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 3.935En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 150 V 1.29 A 1.38 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 11.6 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 792En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 13.9 A 178 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 2.041En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 6.5 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 1.769En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 22 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 1.606En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 3.9 A 160 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 8.052En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 1.1 A 750 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 4 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel