Resultados: 7
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado

onsemi IGBT 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
Hoja de datos
301En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 80 A 600 W - 55 C + 175 C FGHL40T120RWD Tube
onsemi IGBT 1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT Fast Switching
Hoja de datos
397En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.68 V 30 V 70 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL40T120SWD Tube

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
Hoja de datos
392En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 60 A 273 W - 55 C + 175 C FGHL40T65LQDT Tube

onsemi IGBT 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
Hoja de datos
207En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 120 A 833 W - 55 C + 175 C FGHL60T120RWD Tube

onsemi IGBT 650V FS4 Trench IGBT
Hoja de datos
168En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGH50T65SQD Tube

onsemi IGBT 650V/35A FAST IGBT FSII T
Hoja de datos
7En existencias
90Fecha prevista: 21/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 70 A 300 W - 55 C + 175 C NGTB35N65FL2 Tube

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDTL4 Tube