Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

NVHL060N065SC1

Name: onsemi NVHL060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL060N065SC1
Price: 13.39 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

863-NVHL060N065SC1

Fabr. N.º:

NVHL060N065SC1

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

Hoja de datos:

NVHL060N065SC1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre onsemi NVHL060N065SC1

En existencias: 445

Existencias:: 445 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 8 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	13,39 €	13,39 €
	9,45 €	94,50 €
	8,05 €	966,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	47 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	44 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.3 V
Qg (carga de compuertas):	74 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	176 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia delantera: mín.:	2 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	32 ns
Serie:	NVHL060N065SC1
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	23 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NVHL060N065SC1 Hoja de datos

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET

onsemi NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET is a 650V, 60mΩ (typ), and 47A single N-channel MOSFET built with a compact and efficient design for high thermal performance. This MOSFET uses a completely new technology that provides superior switching performance and high reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. The NVHL060N065SC1 power MOSFET offers high efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. This MOSFET is AEC-Q101 qualified and is PPAP-capable. Typical applications include automotive onboard chargers and automotive DC/DC converters for Electric Vehicles (EV).