STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes are ultra-high-performance power Schottky diodes. The wide bandgap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These STMicroelectronics devices are especially suited for PFC applications, boosting performance in hard switching conditions. High forward surge capability ensures good robustness during transient phases.

Resultados: 48
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Configuración If - Corriente delantera Vrrm - Tensión inversa repetitiva Vf - Tensión delantera Ifsm - Corriente de sobretensión delantera Ir - Corriente inversa Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Cualificación Empaquetado

STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V 20A Schottky silicon carbid TO247 1.198En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual 10 A 650 V 1.75 V 90 A 100 uA - 40 C + 175 C STPSC Tube

STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 20 A Silicon Carbide Diode 410En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT D2PAK-HV Single 20 A 1.2 kV 1.35 V 140 A 10 uA - 40 C + 175 C STPSC20H12-Y AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V 4A Schottky silicon carbide DPAK 2.048En existencias
5.000Fecha prevista: 10/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT DPAK Single 4 A 650 V 1.75 V 38 A 40 uA - 40 C + 175 C STPSC Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650V Power Schottky 6A 10nC 175c 1.659En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT DPAK Single 6 A 650 V 1.75 V 60 A 60 uA - 40 C + 175 C STPSC Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 6 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode 3.354En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT DPAK Single 6 A 650 V 1.45 V 60 A 5 uA - 40 C + 175 C STPSC AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V 8A Schottky silicn carbid TO-220 1.292En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.75 V 75 A 80 uA - 40 C + 175 C STPSC Tube
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode 632En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 22 A 650 V 1.98 V 90 A 85 uA - 40 C + 175 C STPSC Tube
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650V, 10 A Silicon Carbide diode 870En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT D2PAK Single 10 A 650 V 1.56 V 90 A 9 uA - 40 C + 175 C STPSC AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650V pwr Schottky 4A 650V VRRM 1.680En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 4 A 650 V 1.98 V 200 A 170 uA - 40 C + 175 C STPSC Tube
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650V Power Schottky 6A 10nC 175c 487En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 6 A 650 V 1.75 V 60 A 60 uA - 40 C + 175 C STPSC Tube
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 6 A, 650 V SiC Power Schottky Diode 15En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-5 Single 6 A 650 V 1.38 V 58 A 5 uA - 40 C + 175 C STPSC Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650V Power Schottky 6A 10nC 175c 510En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT D2PAK Single 6 A 650 V 1.75 V 60 A 60 uA - 40 C + 175 C STPSC Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diod 632En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-3 Dual 6 A 650 V 1.56 V 400 A 250 uA - 40 C + 175 C STPSC Tube
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
1.194Fecha prevista: 02/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole DO-247-2 Single 20 A 650 V 1.3 V 135 A 17 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
1.000Fecha prevista: 02/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.3 V 135 A 17 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode
5.000Fecha prevista: 12/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

SMD/SMT SMBF-2 Single 10 A 650 V 1.3 V 30 A 4 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
1.000Fecha prevista: 02/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.98 V 420 A 65 uA - 40 C + 175 C STPSC Tube
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diode
1.835Fecha prevista: 04/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-3 Dual 8 A 650 V 1.56 V 420 A 335 uA - 40 C + 175 C STPSC Tube
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 10A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
950Fecha prevista: 09/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.3 V 70 A 10 uA - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 10A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
1.000Fecha prevista: 02/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.3 V 70 A 10 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 8A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
1.000Fecha prevista: 09/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Tube

STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V power Schottky silicon-carbide diode Plazo producción 25 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 40 A 650 V 1.5 V 70 A 60 uA - 40 C + 175 C STPSC Tube
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 4 A 650 V 1.98 V 200 A 35 uA - 40 C + 175 C STPSC Tube