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STPSC4H065DI

Name: STMicroelectronics STPSC4H065DI
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC4H065DI
Price: 2.43 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-STPSC4H065DI

Fabr. N.º:

STPSC4H065DI

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode

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Pedido:: 636

Fecha prevista: 15/06/2026
Plazo de producción de fábrica:: 19

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,43 €	2,43 €
	1,20 €	12,00 €
	1,08 €	108,00 €
	0,86 €	430,00 €
	0,793 €	793,00 €
	0,736 €	1.472,00 €
	0,677 €	3.385,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220AC-2
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	4 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión delantera:	1.98 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	200 A
Ir - Corriente inversa:	35 uA
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	STPSC
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Peso unitario:	2,300 g

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Hoja de datos

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PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes are ultra-high-performance power Schottky diodes. The wide bandgap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These STMicroelectronics devices are especially suited for PFC applications, boosting performance in hard switching conditions. High forward surge capability ensures good robustness during transient phases.

STPSC Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics Schottky Silicon-Carbide Diodes take advantage of SiC's superior physical characteristics over standard silicon, with four times better dynamic characteristics and 15% less forward voltage (VF). The low reverse recovery characteristics make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings in SMPS applications and in emerging domains such as solar energy conversion, EV or HEV charging stations. They are also ideal for other applications such as welding equipment and air conditioners. STMicroelectronics SiC product portfolio includes a 20A, 600V diode, housed in a halogen-free TO-247 package, to extend its 4A to 12A, through-hole, and SMD package offer. The second generation, with a 6A, 1200V device, and a 650V series are also available.

Standard Products

STMicroelectronics Standard Products are a broad range of industry-standard and drop-in replacements for the most popular general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs. The Standard Products are manufactured to the highest quality standards with many AECQ-qualified for automotive applications. A comprehensive set of STMicroelectronics design aids, including SPICE, IBIS models, and simulation tools, is available to make adding to a design-in easy.