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NTMT045N065SC1

Name: onsemi NTMT045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMT045N065SC1
Price: 10.32 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTMT045N065SC1

Fabr. N.º:

NTMT045N065SC1

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, Power88

Hoja de datos:

NTMT045N065SC1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	10,32 €	10,32 €
	7,52 €	75,20 €
	6,51 €	651,00 €
	5,97 €	5.970,00 €
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	5,53 €	16.590,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TDFN-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	55 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	50 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.3 V
Qg (carga de compuertas):	105 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	187 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	7 ns
Transconductancia delantera: mín.:	16 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	14 ns
Serie:	NTMT045N065SC1
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	26 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13 ns

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NTMT045N065SC1 Hoja de datos

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

NTMT045N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTMT045N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs use technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. The onsemi MOSFETs feature low ON resistance and a compact chip size that ensures low capacitance and gate charge. The devices have benefits that include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.