TrenchT2™ Standard/HiPerFET™ Power MOSFETs

Littelfuse TrenchT2™ Standard and HiPerFET™ Power MOSFETs are enhancement mode, single- or dual-channel MOSFETs offering high current carrying capabilities (up to 600A). These devices feature a low drain-source on resistance (3.5mΩ to 22mΩ) and gate charge (25.5nC to 178nC) within a wide -55°C to +175°C operating temperature range. Available in various compact packages, the TrenchT2 MOSFETs are ideal for low voltage, high current power conversion systems.

Resultados: 9
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS MOSFET IXTA220N04T2 TRL
Hoja de datos
800Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 112 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET DUAL PHASE LEGCONFIG 150V 53A MOSFET
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5 N-Channel 2 Channel 150 V 53 A 20 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 180 W TrenchT2 Tube
IXYS MOSFET IXFA76N15T2 TRL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 97 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET TO268 100V 320A N-CH TRENCH
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 400
Múlt.: 400
Bobina: 400

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) 1 Channel 200 V 180 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 154 nC 735 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA100N04T2 TRL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25.5 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA110N055T2 TRL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 110 A 6.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 57 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA200N055T2 TRL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 55 V 200 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA230N075T2 TRL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTY90N055T2 TRL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 55 V 90 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 175 C 150 W TrenchT2 Reel