IXFA76N15T2-TRL

IXYS
747-IXFA76N15T2-TRL
IXFA76N15T2-TRL

Fabr.:

Descripción:
MOSFET IXFA76N15T2 TRL

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
23 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 800   Múltiples: 800
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
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Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

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Precio total
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)
3,32 € 2.656,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
150 V
76 A
22 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
97 nC
- 55 C
+ 175 C
350 W
Enhancement
TrenchT2
Reel
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 14 ns
Transconductancia delantera: mín.: 50 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 19 ns
Serie: TrenchT2
Cantidad del paquete de fábrica: 800
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 25 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 17 ns
Peso unitario: 4 g
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
República de Corea
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

TrenchT2™ Standard/HiPerFET™ Power MOSFETs

Littelfuse TrenchT2™ Standard and HiPerFET™ Power MOSFETs are enhancement mode, single- or dual-channel MOSFETs offering high current carrying capabilities (up to 600A). These devices feature a low drain-source on resistance (3.5mΩ to 22mΩ) and gate charge (25.5nC to 178nC) within a wide -55°C to +175°C operating temperature range. Available in various compact packages, the TrenchT2 MOSFETs are ideal for low voltage, high current power conversion systems.