600V N-Channel Super Junction MOSFETs

PANJIT 600V N-Channel Super Junction MOSFETs feature a low RDS(ON) and high-speed switching in an ITO-220AB-F or TO-247AD-3LD package. The 600V MOSFETs support an RDS(ON) of 74mΩ, 190mΩ, 280mΩ, 360mΩ, 580mΩ, or 900mΩ. In addition, the MOSFETs provide a 4.4A, 8A, 11A, 13.8A, 8A, 20A, or 53A current. The 100% avalanche and Rg-tested PANJIT 600V N-Ch Super Junction MOSFETs offer ease of use.

Resultados: 26
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
Panjit MOSFET 600V 280mohm Super Junction Easy versio 1.948En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 27 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET 1.490En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Tube
Panjit MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 1.999En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 18.7 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 2.488En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 6.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 18.7 nC - 55 C + 150 C 87.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 824En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 600V 190mohm Super Junction Easy versio 1.947En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 1.988En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 18.7 nC - 55 C + 150 C 87.5 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 794En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 235 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 600V 580mohm Super Junction Easy versio 1.993En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 580 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 600V/ 280mohms / 13.8A/ Easy to driver SJ MOSFET 2.985En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si Through Hole TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 27 nC - 55 C + 150 C 122.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss 2.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole ITO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 5.8 V 60 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 600V/ 99mohms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET 840En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 308 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss 2.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220AB-L-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 5.8 V 60 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss 1.470En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247AD-3LD N-Channel 1 Channel 600 V 53 A 74 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 84 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET 1.990En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole ITO-220AB-F-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET 1.997En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 308 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 1.935En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Tube
Panjit MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 5.995En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 6.000

Si TO-252AA-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 1.989En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Tube
Panjit MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 2.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Tube
Panjit MOSFET 600V/ 900mohm Super Junction Easy versio 2.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 4.4 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 11.5 nC - 55 C + 150 C 23.6 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 600V/ 360mohm Super Junction Easy version Gen.1 No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000

Si Tube
Panjit MOSFET 600V/ 360mohm Super Junction Easy versio No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000

Si Tube
Panjit MOSFET 600V/ 900mohm Super Junction Easy version Gen.1 No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Tube