RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors

Toshiba RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) are AEC-Q101 qualified and optimized for switching, inverter circuit, interfacing, and driver circuit applications. The bias resistor is integrated, reducing the number of external parts required and decreasing system size and assembly time. The Toshiba RN Automotive Bias Resistor BRTs provide a wide resistance range to adjust to various circuit designs.

Todos los resultados (163)

Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723 6.583En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 8.000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F 4.802En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Toshiba Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOD-323
9.000Fecha prevista: 20/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
5.990Fecha prevista: 20/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F
5.998Fecha prevista: 15/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q Low Rdson SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V Ic:0.3A SOT-416 No en almacén Plazo producción 11 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 8.000

Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) N/A
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=2.2kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A SOT563 N/A
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) N/A
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10kOhm, Q2BSR=10kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563) No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000