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SIA906EDJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA906EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA906EDJ-GE3
Price: 0.78 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

781-SIA906EDJ-GE3

Fabr. N.º:

SIA906EDJ-T1-GE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

Hoja de datos:

SIA906EDJ-T1-GE3 Hoja de datos

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Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,783 €	0,78 €
	0,481 €	4,81 €
	0,329 €	32,90 €
	0,258 €	129,00 €
	0,23 €	230,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,195 €	585,00 €
	0,174 €	1.044,00 €
	0,163 €	1.467,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SC-70-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	4.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	46 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	600 mV
Qg (carga de compuertas):	950 pC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	7.8 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET, PowerPAK
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia delantera: mín.:	14 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	18 ns
Serie:	SIA
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	12 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	10 ns
Alias de parte #:	SIA906EDJ-GE3
Peso unitario:	28 mg

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REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.

MOSFET de canal N dual SiA936EDJ de Vishay Siliconix

El MOSFET de canal N dual SiA936EDJ de Vishay Siliconix está diseñado para ahorrar espacio y aumentar la eficiencia energética en dispositivos electrónicos portátiles, con la menor resistencia de encendido del sector para dispositivos de 20 V (12 V VGS y 8 V VGS) en controladores de compuerta de 4,5 V y 2,5 V en un área de 2 mm por 2 mm. El SiA936EDJ está optimizado para conmutadores de carga y de cargadores, convertidores CC-CC y puentes en H y protección de batería para la gestión de energía en smartphones, tabletas, dispositivos informáticos móviles, productos sanitarios portátiles no implantables y dispositivos electrónicos de consumo portátiles con pequeños motores CC sin escobillas. Para dichas aplicaciones, el SiA936EDJ ofrece una resistencia de encendido extremadamente baja de 34 mO (4,5 V), 37 mO (3,7 V) y 45 mO (2,5 V) y una protección contra ESD integrada de 2000 V. Su resistencia de encendido a 2,5 V es un 11,7 % más baja que la del dispositivo VGS de 8 V de la competencia más cercana, a la vez que ofrece un intervalo de protección superior (G-S), y un 15,1 % más baja que la del VGS de 12 V de la competencia más cercana. La resistencia de encendido baja del sector de este dispositivo permite a los diseñadores lograr caídas de tensión más bajas en sus circuitos y promueven un uso más eficiente de la energía y una mayor duración de la batería. Al integrar dos MOSFET en un paquete compacto, los SiA936EDJ duales simplifican los diseños, reducen la cantidad global de componentes y ahorran espacio crítico en la PCB. El MOSFET de canal N dual SiA936EDJ de Vishay Siliconix está 100 % probado para Rg, no tiene halógenos de acuerdo con la definición JEDEC JS709A y cumple la directiva RoHS 2011/65/EU.
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