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MOSFET de canal N dual SiA936EDJ de Vishay SiliconixEl MOSFET de canal N dual SiA936EDJ de Vishay Siliconix está diseñado para ahorrar espacio y aumentar la eficiencia energética en dispositivos electrónicos portátiles, con la menor resistencia de encendido del sector para dispositivos de 20 V (12 V VGS y 8 V VGS) en controladores de compuerta de 4,5 V y 2,5 V en un área de 2 mm por 2 mm. El SiA936EDJ está optimizado para conmutadores de carga y de cargadores, convertidores CC-CC y puentes en H y protección de batería para la gestión de energía en smartphones, tabletas, dispositivos informáticos móviles, productos sanitarios portátiles no implantables y dispositivos electrónicos de consumo portátiles con pequeños motores CC sin escobillas. Para estas aplicaciones el SiA936EDJ ofrece una resistencia de encendido extremadamente baja de 34 mΩ (4,5 V), 37 mΩ (3,7 V) y 45 mΩ (2,5 V) y protección ESD integrada de 2000 V. Su resistencia de encendido de 2,5 V es un 11,7 % más baja que el dispositivo de 8 V VGS de la competencia más cercana, a la vez que ofrece un intervalo de protección superior (G-S), y un 15,1 % más baja que la del VGS GS de 12 V de la competencia más cercana. La resistencia de encendido baja del sector de este dispositivo permite a los diseñadores lograr caídas de tensión más bajas en sus circuitos y promueven un uso más eficiente de la energía y una mayor duración de la batería. Al integrar dos MOSFET en un paquete compacto, los SiA936EDJ duales simplifican los diseños, reducen la cantidad global de componentes y ahorran espacio crítico en la PCB. El MOSFET de canal N dual SiA936EDJ de Vishay Siliconix está 100 % probado para Rg, no tiene halógenos de acuerdo con la definición JEDEC JS709A y cumple la directiva RoHS 2011/65/EU. |
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Características
Aplicaciones
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