Resultados: 10
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1.700En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 665En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1.199En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW 1.098En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 25En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 28En existencias
2.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 148En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
1.950Fecha prevista: 15/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 75 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 123 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 108 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel