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IPT60R080G7XTMA1

Name: Infineon IPT60R080G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPT60R080G7XTMA1
Price: 6.03 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IPT60R080G7XTMA1

Fabr. N.º:

IPT60R080G7XTMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET HIGH POWER_NEW

Hoja de datos:

IPT60R080G7XTMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	6,03 €	6,03 €
	4,05 €	40,50 €
	2,94 €	294,00 €
	2,78 €	1.390,00 €
	2,59 €	2.590,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	2,59 €	5.180,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	HSOF-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	29 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	80 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	42 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	167 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	3.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	5 ns
Serie:	CoolMOS C7 Gold
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	61 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	19 ns
Alias de parte #:	IPT60R080G7 SP001615904
Peso unitario:	771,020 mg

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SPICE Models

Simulation Model CoolMOS™ Power MOSFET PSpice 600V G7 (Cremallera)

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Alemania
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Austria

El país puede cambiar en el momento del envío.

CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Infineon CoolMOS™ Power Transistors provide all the benefits of a fast-switching SJ MOSFET. Combined with the generation CoolMOS 7, Infineon continues to set price, performance, and quality benchmarks.

CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs are optimized for energy efficiency, power density, and ease of use. CoolMOS 7 technology is optimized for specific applications with innovative package concepts and various technologies. CoolMOS 7 MOSFETS are ideal for applications like making electric vehicle charging stations smaller with higher outputs resulting in faster car charging. Thanks to CoolMOS 7, adapters and chargers can be made smaller, lighter, and more efficient. With CoolMOS 7, engineers can make renewable energy systems cheaper and more efficient.

MOSFET de potencia C7 Gold (G7) CoolMOS™

Los MOSFET de potencia C7 Gold (G7) CoolMOS™ de Infineon Technologies™ están alojados en el nuevo paquete TO sin terminales (TOLL) con el concepto de origen Kelvin Los MOSFET G7 combinan tecnología CoolMOS™ de 600 V y 650 V mejorada, capacidad de origen Kelvin de 4 clavijas y la mejora de las propiedades térmicas del paquete TO sin terminales. Esto permite una solución SMD para topologías de alta corriente de conmutación complicada como corrección del factor de potencia (PFC) hasta 3 kW. En el caso de los G7 de 600 V CoolMOS™™ los MOSFET se pueden utilizar para circuitos de resonancia como LLC de gama alta.

Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.