Resultados: 29
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Configuración If - Corriente delantera Vrrm - Tensión inversa repetitiva Vf - Tensión delantera Ifsm - Corriente de sobretensión delantera Ir - Corriente inversa Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE 924En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 16 A 1.2 kV 1.65 V 140 A 5.5 uA - 55 C + 175 C IDH16G120C5 Tube
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC CoolSiC 1200 V Schottky diode G5 with .XT interconnection technology 681En existencias
480Fecha prevista: 23/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Tube
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC CoolSiC 1200 V Schottky diode G5 with .XT interconnection technology 240En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Tube
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC CoolSiC 1200 V Schottky diode G5 with .XT interconnection technology 606En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Tube
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE 2.385En existencias
2.000Fecha prevista: 09/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT Single 20 A 1.2 kV 1.8 V 198 A 123 uA - 55 C + 175 C IDK20G120C5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE 1.907En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) Single 8 A 1.2 kV 1.65 V 70 A 3 uA - 55 C + 175 C IDM08G120C5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE 3.261En existencias
2.500Fecha prevista: 11/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) Single 10 A 1.2 kV 1.5 V 99 A 4 uA - 55 C + 175 C IDM10G120C5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE 589En existencias
4.560Fecha prevista: 23/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 30 A 1.2 kV 1.4 V 240 A 17 uA - 55 C + 175 C IDW30G120C5 Tube
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE 3.113En existencias
1.920Fecha prevista: 11/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 10 A 1.2 kV 1.4 V 140 A 6 uA - 55 C + 175 C IDWD10G120C5 Tube
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE 754En existencias
240Fecha prevista: 26/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 60

Through Hole TO-247-2 Single 40 A 1.2 kV 1.4 V 290 A 23 uA - 55 C + 175 C IDWD40G120C5 Tube
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE 71En existencias
4.000Fecha prevista: 11/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 1.2 kV 1.5 V 99 A 4 uA - 55 C + 175 C IDH10G120C5 Tube
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE 504En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT Single 2 A 1.2 kV 1.65 V 18 A 50 uA - 55 C + 175 C IDKXG120C5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE 52En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT Single 8 A 1.2 kV 1.95 V 70 A 40 uA - 55 C + 175 C IDK08G120C5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE 658En existencias
1.000Fecha prevista: 11/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT Single 10 A 1.2 kV 1.8 V 99 A 62 uA - 55 C + 175 C IDK10G120C5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE 1.553En existencias
17.500Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) Single 2 A 1.2 kV 1.4 V 37 A 1.2 uA - 55 C + 175 C IDM02G120C5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE 125En existencias
5.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) Single 5 A 1.2 kV 1.5 V 59 A 2.5 uA - 55 C + 175 C IDM05G120C5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE 56En existencias
480Fecha prevista: 11/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 10 A 1.2 kV 1.4 V 140 A 6 uA - 55 C + 175 C IDW10G120C5 Tube
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE 138En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 15 A 1.2 kV 1.4 V 170 A 8 uA - 55 C + 175 C IDW15G120C5 Tube
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE 5En existencias
480Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.4 V 190 A 12 uA - 55 C + 175 C IDWD20G120C5 Tube
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE 33En existencias
960Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 30 A 1.2 kV 1.4 V 240 A 17 uA - 55 C + 175 C IDWD30G120C5 Tube
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC CoolSiC 1200 V Schottky diode G5 with .XT interconnection technology
1.440Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Tube
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
1.000Fecha prevista: 18/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 1.2 kV 1.65 V 70 A 3 uA - 55 C + 175 C IDH08G120C5 Tube
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
1.000Fecha prevista: 01/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 20 A 1.2 kV 1.5 V 198 A 8.5 uA - 55 C + 175 C IDH20G120C5 Tube
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE 1En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT Single 5 A 1.2 kV 1.8 V 59 A 33 uA - 55 C + 175 C IDK05G120C5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
720Fecha prevista: 02/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 1.2 kV 1.4 V 190 A 12 uA - 55 C + 175 C IDW20G120C5 Tube