Resultados: 14
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies FET de GaN Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
Hoja de datos
2.678En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

SMD/SMT QFN-32 N-Channel 2 Channel 650 V 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
1.939En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 22 A 70 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 111 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2.520En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.6 V 25 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2.577En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 16 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2.407En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2.307En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 70 mOhms - 10 V 1.2 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 91 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2.692En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.2 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2.664En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 140 mOhms - 10 V 1.2 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2.717En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 12 A 170 mOhms - 10 V 1.2 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
267En existencias
6.000Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 70 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
28En existencias
8.000Fecha prevista: 17/09/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 49 A 42 mOhms - 10 V 1.6 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
1.736En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 6 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
1.544En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
140En existencias
2.000Fecha prevista: 23/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 31 A 66 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement CoolGaN