CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Transistors feature highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion. The 650V G5 family addresses consumer, data center, industrial, and solar application challenges. The transistors offer improved system efficiency and power density with ultra-fast switching capability. The CoolGaN technology provides discrete and integrated solutions designed to enhance overall system performance. The Infineon Technologies CoolGaN 650V G5 Transistors enable high operating frequencies and reduce EMI ratings. The transistors are ideal for power distribution, switch-mode power supplies (SMPS), telecommunications, and other industrial applications.

Resultados: 14
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies FET de GaN Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
Hoja de datos
2.392En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT QFN-32 N-Channel 2 Channel 650 V 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2.022En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 22 A 70 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 111 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2.304En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.6 V 25 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2.388En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 16 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2.263En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2.535En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 70 mOhms - 10 V 1.2 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 91 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2.832En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.2 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2.696En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 140 mOhms - 10 V 1.2 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2.797En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 12 A 170 mOhms - 10 V 1.2 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
1.499En existencias
2.000Fecha prevista: 05/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 70 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2.000En existencias
2.000Fecha prevista: 16/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 49 A 42 mOhms - 10 V 1.6 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
1.872En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 6 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
1.503En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 31 A 66 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
1.631En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN