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IGT65R025D2ATMA1

Name: Infineon IGT65R025D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGT65R025D2ATMA1
Price: 11.25 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IGT65R025D2ATMA1

Fabr. N.º:

IGT65R025D2ATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

FET de GaN CoolGaN Transistor 650 V G5

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

IGT65R025D2ATMA1 Hoja de datos (PDF)

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Pedido:: 4.000

Fecha prevista: 11/06/2026

2.000

Fecha prevista: 16/07/2026
Plazo de producción de fábrica:: 18

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	11,25 €	11,25 €
	7,71 €	77,10 €
	6,63 €	663,00 €
	6,11 €	3.055,00 €
	5,58 €	5.580,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	5,19 €	10.380,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PG-HSOF-8
Polaridad de transistor:	HEMT
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	70 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	30 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.6 V
Qg (carga de compuertas):	11 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	236 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolGaN
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	AT
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	9 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	Transistors
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de establecimiento:	12 ns
Serie:	650V G5
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	CoolGaN Transistor
Tiempo típico de retraso de apagado:	18 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns
Alias de parte #:	IGT65R025D2 SP006026239

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Transistors feature highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion. The 650V G5 family addresses consumer, data center, industrial, and solar application challenges. The transistors offer improved system efficiency and power density with ultra-fast switching capability. The CoolGaN technology provides discrete and integrated solutions designed to enhance overall system performance. The Infineon Technologies CoolGaN 650V G5 Transistors enable high operating frequencies and reduce EMI ratings. The transistors are ideal for power distribution, switch-mode power supplies (SMPS), telecommunications, and other industrial applications.