Resultados: 6
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
Toshiba MOSFET L-TOGL N-CH 80V 350A 2.248En existencias
1.500Fecha prevista: 08/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT 2-10AG1A N-Channel 1 Channel 80 V 350 A 830 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 305 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET L-TOGL N-CH 40V 400A 9.823En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT L-TOGL-9 N-Channel 1 Channel 40 V 400 A 470 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 295 nC + 175 C 750 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET S-TOGL N-CH 40V 160A 2.440En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

Si Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL 3.348En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 530 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 128 nC + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LTOGL 100V 300A
7.500Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT 2-10AG1A N-Channel 1 Channel 100 V 300 A 1.03 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 269 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba XPQ1R004PB,LXHQ
Toshiba MOSFET 40V UMOS9 L-TOGL 1mohm No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

Reel