XPQ1R004PB,LXHQ

Toshiba
757-XPQ1R004PBLXHQ
XPQ1R004PB,LXHQ

Fabr.:

Descripción:
MOSFET 40V UMOS9 L-TOGL 1mohm

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 1500   Múltiples: 1500
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
1,09 € 1.635,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: MOSFET
Reel
Marca: Toshiba
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad del paquete de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

L-TOGL & S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N-Ch MOSFETs

Toshiba L-TOGL and S-TOGL AEC-Q101 40V/80V/100V N-Channel MOSFETs deliver ultra-low on-resistance, a high drain current rating, and high heat dissipation. This is achieved by combining high heat dissipation packages [L-TOGL (large transistor outline gull-wing leads) and S-TOGL (small transistor outline gull-wing leads)] with the U-MOS IX-H and U-MOS X-H chip processes. Toshiba L-TOGL and S-TOGL MOSFETs also offer high current capability and high heat dissipation to help improve power density in a wide variety of automotive applications. The L-TOGL package is equivalent in size to the existing TO-220SM(W) package. However, XPQR3004PB greatly improves the current rating and significantly lowers the on-resistance to 0.23mΩ typical. L-TOGLs optimized package footprint also helps improve thermal characteristics when compared to the same-sized TO-220SM(W) package.