Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

NTH4L014N120M3P

Name: onsemi NTH4L014N120M3P
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L014N120M3P
Price: 24.79 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

863-NTH4L014N120M3P

Fabr. N.º:

NTH4L014N120M3P

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 14MOHM 1

Hoja de datos:

NTH4L014N120M3P Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre onsemi NTH4L014N120M3P

En existencias: 81

Existencias:: 81 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	24,79 €	24,79 €
	18,32 €	183,20 €
	18,10 €	1.810,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	127 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	20 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.63 V
Qg (carga de compuertas):	329 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	686 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia delantera: mín.:	29 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	40 ns
Serie:	NTH4L014N120M3P
Cantidad del paquete de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	68 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	26 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NTH4L014N120M3P Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de carburo de silicio (SiC) NTH4L014N120M3P

El MOSFET de carburo de silicio (SiC) NTH4L014N120M3P de Onsemi está optimizado para aplicaciones de potencia. El MOSFET de onsemi cuenta con tecnología planar que funciona de forma fiable con accionamientos de tensión de compuerta negativa y reduce los picos en la compuerta. Esta familia tiene un rendimiento óptimo cuando se gestiona con un controlador de compuerta de 18 VV, pero también funciona bien con un controlador de compuerta de 15 VV.

M3P EliteSiC MOSFETs

onsemi M3P EliteSiC MOSFETs are a solution for high-voltage applications with a maximum voltage rating of 1200V. The onsemi M3P MOSFETs come in D2PAK7, TO-247-3LD, and TO-247-4LD packages/ The MOSFETs provide versatility for various design requirements. With a maximum gate-to-source voltage of +22V/-10V, EliteSiC MOSFETs boast improved parasitic capacitances, including Coss, Ciss, and Crss.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.