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NVBG050N170M1

Name: onsemi NVBG050N170M1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG050N170M1
Price: 18.21 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

863-NVBG050N170M1

Fabr. N.º:

NVBG050N170M1

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC SIC 1700V M1 52MO D2PAK-7

Ciclo de vida:

Descatalogado:

Retirada prevista. El fabricante va a descatalogar este producto.

Hoja de datos:

NVBG050N170M1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	18,21 €	18,21 €
	14,90 €	149,00 €
	13,17 €	1.317,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)
	13,15 €	10.520,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.7 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	50 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	76 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 15 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.3 V
Qg (carga de compuertas):	107 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	385 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	22 ns
Serie:	NVBG050N170M1
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	44 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	14 ns

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NVBG050N170M1 Hoja de datos

EOL

Product Discontinuation Notification 2026-1-5 (PDF)

ECCN:: EAR99

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET is a part of the 1700V M1 planar SiC MOSFET family optimized for fast switching applications. This MOSFET features a maximum 76mΩ @ 20V maximum R_DS(ON), 1700V drain-to-source voltage, 50A continuous drain current, and ultra-low gate charge (typical Q_G(tot) = 107nC). The NVBG050N170M1 SiC MOSFET operates at low effective output capacitance (typical C_oss = 97pF) and -15V/+25V gate-to-source voltage. This SiC MOSFET is 100% avalanche tested and is available in a D2PAK-7L package. The NVBG050N170M1 SiC MOSFET is Pb-free 2LI, Halide-free, and RoHS compliant with exemption 7a. Typical applications include a flyback converters, an automotive DC-DC converters for EVs/HEVs, and an automotive On Board Chargers (OBCs).