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NVHL075N065SC1

Name: onsemi NVHL075N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL075N065SC1
Price: 10.82 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NVHL075N065SC1

Fabr. N.º:

NVHL075N065SC1

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM

Hoja de datos:

NVHL075N065SC1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	38 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	85 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, + 18 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.3 V
Qg (carga de compuertas):	61 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	74 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia delantera: mín.:	9 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	Mosfets
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	26 ns
Serie:	NVHL075N065SC1
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	22 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	10 ns

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NVHL075N065SC1 Hoja de datos

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVHL075N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVHL075N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are high-performance devices with exceptional characteristics. The onsemi NVHL075N065SC1 offers a typical R_DS(on) of 57mΩ at a gate-source voltage (V_GS) of 18V and 75mΩ at 15V. The device features ultra-low gate charge (Q_G(tot) = 61nC) and low output capacitance (C_oss = 107pF), ensuring fast switching and reduced power losses.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).