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NVHL075N065SC1

Name: onsemi NVHL075N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL075N065SC1
Price: 10.82 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NVHL075N065SC1

Fabr. N.º:

NVHL075N065SC1

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM

Hoja de datos:

NVHL075N065SC1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	38 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	85 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, + 18 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.3 V
Qg (carga de compuertas):	61 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	74 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia delantera: mín.:	9 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	Mosfets
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	26 ns
Serie:	NVHL075N065SC1
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	22 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	10 ns

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NVHL075N065SC1 Hoja de datos

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

NVHL075N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVHL075N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are high-performance devices with exceptional characteristics. The onsemi NVHL075N065SC1 offers a typical R_DS(on) of 57mΩ at a gate-source voltage (V_GS) of 18V and 75mΩ at 15V. The device features ultra-low gate charge (Q_G(tot) = 61nC) and low output capacitance (C_oss = 107pF), ensuring fast switching and reduced power losses.