AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes deliver breakdown voltages from 600V, far exceeding the upper limit for silicon SBDs. The AEC-Q101 Diodes utilize SiC, making them ideal for PFC circuits and inverters. Additionally, high-speed switching is enabled with ultra-small reverse recovery time. This minimizes both reverse recovery charge and switching loss, contributing to end-product miniaturization. ROHM AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes offer a reverse voltage range of 650V to 1200V, a continuous forward current range of 1.2µA to 260µA, and a total power dissipation range between 48W to 280W. The devices are available in TO-247 and TO-263 packages, with a max temperature of +175°C.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa máxima
Serie
Cualificación
Empaquetado
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 8A 13nC SiC SBD AEC-Q101 Qualified
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613En existencias
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Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263AB-3 Single 8 A 650 V 1.55 V 30 A 160 uA + 175 C SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC AECQ
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1.924En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247N-3 Dual 20 A 650 V 1.55 V 76 A 200 uA + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC AECQ
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506En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247N-3 Dual 40 A 650 V 1.55 V 130 A 400 uA + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC AECQ
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798En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247N-3 Dual 10 A 1.2 kV 1.6 V 45 A 100 uA + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 6A 9nC SiC SBD AEC-Q101 Qualified
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1.048En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263AB-3 Single 6 A 650 V 1.55 V 23 A 120 uA + 175 C SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
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874En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263AB-3 Single 10 A 650 V 1.55 V 38 A 200 uA + 175 C SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 15A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
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888En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000
SMD/SMT TO-263AB-3 Single 15 A 650 V 1.55 V 52 A 300 uA + 175 C SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 12A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
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270En existencias
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SMD/SMT TO-263AB-3 Single 12 A 650 V 1.55 V 43 A 240 uA + 175 C SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 20A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
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232En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263AB-3 Single 20 A 650 V 1.55 V 68 A 400 uA + 175 C SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC AECQ
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442Fecha prevista: 27/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247N-3 Dual 20 A 1.2 kV 1.6 V 84 A 200 uA + 175 C AEC-Q101 Tube