1200V 3-level IGBT Modules

Infineon Technologies 1200V 3-level IGBT Modules deliver electrical performance and high reliability without limiting the design flexibility. The IGBT modules cover a range from only hundreds of watts to several megawatts. The 1200V IGBT Modules are designed for 3-level-applications.

Tipos de Semiconductores discretos
Cambiar vista de categoría
Resultados: 6
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 25 A 3-level IGBT module
Hoja de datos
167En existencias
168Fecha prevista: 25/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules Si Through Hole EasyPack1B


Infineon Technologies Módulos IGBT 650 V, 400 A 3-level IGBT module
Hoja de datos
4En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A 3-level IGBT module
Hoja de datos
6En existencias
24Fecha prevista: 13/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Screw Mount
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 400 A 3-level IGBT module
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 6
Múlt.: 6

IGBT Transistors
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 25 A 3-level IGBT module
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies F3L200R12N2H3B47BPSA2
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 200 A 3-level IGBT module
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 15
Múlt.: 15

IGBT Modules Si