Resultados: 8
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Empaquetado / Estuche Estilo de montaje Configuración Voltaje colector-emisor VCEO máx. Voltaje de saturación colector-emisor Voltaje puerta-emisor máximo Corriente continua del colector a 25 C Pd (disipación de potencia) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 330En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL75T65LQDTL4 Tube

onsemi IGBT 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 476En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 80 A 600 W - 55 C + 175 C FGHL40T120RWD Tube

onsemi IGBT 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 367En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 120 A 833 W - 55 C + 175 C FGHL60T120RWD Tube

onsemi IGBT 1200V, 100A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 754En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.43 V - 20 V, 20 V 200 A 1.495 kW - 55 C + 175 C FGY100T120RWD Tube

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 392En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 60 A 273 W - 55 C + 175 C FGHL40T65LQDT Tube

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 410En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL75T65LQDT Tube

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
450Fecha prevista: 19/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDT Tube

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
450Fecha prevista: 19/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDTL4 Tube