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NTBG028N170M1

Name: onsemi NTBG028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG028N170M1
Price: 29.61 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTBG028N170M1

Fabr. N.º:

NTBG028N170M1

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L

Hoja de datos:

NTBG028N170M1 Hoja de datos

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	24,58 €	19.664,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.7 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	71 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	40 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 15 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.3 V
Qg (carga de compuertas):	222 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	428 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia delantera: mín.:	27 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	18 ns
Serie:	NTBG028N170M1
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	121 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	47 ns

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Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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