NXH006P120MNF2PTG Half-Bridge SiC Module

onsemi NXH006P120MNF2PTG Half-Bridge SiC Module features two 6mΩ 1200V SiC MOSFET switches and a thermistor in an F2 package. The SiC MOSFET switches use M1 technology and are driven with an 18V to 20V gate drive. The NXH006P120MNF2 module provides improved reliability from planar technology and low die thermal resistance. Typical applications include DC-AC conversion, DC-DC conversion, energy storage systems, UPS, AC-DC conversion, electric vehicle charging stations, and solar inverters.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Serie
Empaquetado


onsemi Módulos MOSFET PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE
Hoja de datos
44En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH006P120MNF2 Tray
onsemi Módulos MOSFET 1200V 6MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
Hoja de datos
12En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit PIM-36 N-Channel 1.2 kV 191 A 8 mOhms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 556 W NXH006P120M3F2PTHG Tray