NXH006P120MNF2PTG

onsemi
863-XH006P120MNF2PTG
NXH006P120MNF2PTG

Fabr.:

Descripción:
Módulos MOSFET PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE

Modelo ECAD:
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En existencias: 44

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Tarifa estimada:
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Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
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173,72 € 1.737,20 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Módulos MOSFET
RoHS:  
SiC
Press Fit
- 15 V, + 25 V
- 40 C
+ 150 C
NXH006P120MNF2
Tray
Marca: onsemi
Tipo de producto: MOSFET Modules
Cantidad del paquete de fábrica: 20
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Nombre comercial: EliteSiC
Tipo: Half Bridge
Vr - Tensión inversa: 1.2 kV
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NXH006P120MNF2PTG Half-Bridge SiC Module

onsemi NXH006P120MNF2PTG Half-Bridge SiC Module features two 6mΩ 1200V SiC MOSFET switches and a thermistor in an F2 package. The SiC MOSFET switches use M1 technology and are driven with an 18V to 20V gate drive. The NXH006P120MNF2 module provides improved reliability from planar technology and low die thermal resistance. Typical applications include DC-AC conversion, DC-DC conversion, energy storage systems, UPS, AC-DC conversion, electric vehicle charging stations, and solar inverters.