NTBL023N065M3S

onsemi
863-NTBL023N065M3S
NTBL023N065M3S

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
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En existencias: 1.737

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
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Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
13,87 € 13,87 €
10,73 € 107,30 €
9,89 € 989,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
8,74 € 17.480,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFET de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
H-PSOF-8
N-Channel
1 Channel
650 V
77 A
32.6 mOhms
- 8 V, + 22 V
4 V
69 nC
- 55 C
+ 175 C
312 W
Enhancement
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 9.6 ns
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Producto: SiC MOSFETS
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento: 15 ns
Serie: NTBL023N065M3S
Cantidad del paquete de fábrica: 2000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 35 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 11 ns
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NTBL023N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTBL023N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed for demanding power applications. The onsemi NTBL023N065M3S MOSFETs feature a typical RDS(on) of 23mΩ at VGS = 18V, ultra-low gate charge (QG(tot) = 69nC), and high-speed switching with low capacitance (Coss = 152pF). Fully tested for avalanche performance, the MOSFETs are halide-free, RoHS-compliant with Exemption 7a, and Pb-free at the second-level interconnection. Ideal for applications like Switching Mode Power Supplies (SMPS), solar inverters, Uninterruptable Power Supplies (UPS), energy storage systems, and infrastructure, these SiC MOSFETs provide robust performance for modern power management needs.