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NVBG070N120M3S

Name: onsemi NVBG070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG070N120M3S
Price: 14.16 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NVBG070N120M3S

Fabr. N.º:

NVBG070N120M3S

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

Hoja de datos:

NVBG070N120M3S Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	14,16 €	14,16 €
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	8,04 €	4.020,00 €
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	8,04 €	6.432,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	25 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	87 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.4 V
Qg (carga de compuertas):	57 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	172 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8.8 ns
Transconductancia delantera: mín.:	12 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	12 ns
Serie:	NVBG070N120M3S
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	30 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns

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Hoja de datos

NVBG070N120M3S Hoja de datos

PCN

Product Change Notification 2025-9-26 (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país puede cambiar en el momento del envío.

NVBG070N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NVBG070N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFET is a 1200V M3S planar EliteSiC MOSFET designed for fast switching applications. This MOSFET offers optimum performance when driven with an 18V gate drive but also works well with a 15V gate drive. The NVBG070N120M3S SiC MOSFET features a 57nC ultra-low gate charge, 57pF high-speed switching with low capacitance, and 65mΩ typical drain-to-source ON resistance at V_GS=18V. This MOSFET is 100% Avalanche tested, AEC-Q101 qualified, and PPAP capable. The NVBG070N120M3S SiC MOSFET is available in a D2PAK-7L package and is Lead-free 2LI (on second-level interconnection) and RoHS compliant (with exemption 7a). Typical applications include automotive on-board chargers and DC/DC converters for EV/HEV.

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.