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UF4SC120023B7S

Name: onsemi UF4SC120023B7S
Brand: onsemi
SKU: 772-UF4SC120023B7S
Price: 20.85 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

772-UF4SC120023B7S

Fabr. N.º:

UF4SC120023B7S

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC 1200V/23MOSICFETG4TO263-7

Hoja de datos:

UF4SC120023B7S Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	20,85 €	20,85 €
	15,20 €	152,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)
	14,90 €	11.920,00 €
2.400	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	72 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	23 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	6 V
Qg (carga de compuertas):	37.8 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	385 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SiC FET
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC FET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	25 ns
Serie:	UF4SC
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	64 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	23 ns

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Hoja de datos

UF4SC120023B7S Hoja de datos

PCN

Product Change Notification 2025-9-26 (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UF4SC120023B7S G4 Silicone Carbide (SiC) FETs

onsemi UF4SC120023B7S G4 Silicone Carbide (SiC) FETs are 1200V, 23mΩ devices based on a unique cascode circuit configuration. A normally-on SiC JFET is co-packaged in this configuration with a Si MOSFET, producing a normally-off SiC FET device. The device’s standard gate-drive characteristics allow the use of off-the-shelf gate drivers, thus requiring minimal re-design when replacing Si IGBTs, Si super junction devices, or SiC MOSFETs. Available in a space-saving D2PAK-7L package (enabling automated assembly), these devices exhibit an ultra-low gate charge and exceptional reverse recovery characteristics. onsemi UF4SC120023B7S G4 SiC FETs are ideal for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive.