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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)

MACOM FET de GaN GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W 9En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 50

Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V

MACOM FET de GaN GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W No en almacén
Mín.: 250
Múlt.: 250
: 250

Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V

MACOM FET de GaN GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50
: 50

Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V