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GTVA107001EC-V1-R0

Name: MACOM GTVA107001EC-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTVA107001ECV1R0
Price: 949.65 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

941-GTVA107001ECV1R0

Fabr. N.º:

GTVA107001EC-V1-R0

Fabr.:

MACOM

Descripción:

FET de GaN GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W

Hoja de datos:

GTVA107001EC-V1-R0 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	H-36248-2
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	150 V
Id: corriente de drenaje continuo:	10 A
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	- 3 V
Marca:	MACOM
Ganancia:	18 dB
Frecuencia operativa máxima:	1.215 GHz
Frecuencia operativa mínima:	960 MHz
Energía de salida:	890 W
Empaquetado:	Reel
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN-on-SiC
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	- 10 V to 2 V
Peso unitario:	8,198 g

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PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

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USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

HEMT GaN en Sic RF de alta potencia GTVA

Los HEMT GaN en Sic RF de alta potencia GTVA de Wolfspeed / Cree son transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de 50 V HEMT basados en tecnología de nitruro de galio y carburo de silicio . Los dispositivos GaN en SiC ofrecen una densidad de potencia alta combinada con una alta tensión disuptiva, permitiendo amplificadores de potencia altamente eficientes. Los HEMT GaN en Sic RF de alta potencia GTVA disponen de adaptación de entrada, alta eficiencia y paquetes mejorados térmicamente. Estos dispositivos de impulsos/CW (onda continua) tienen un ancho de pulso de 128µnes;s y un ciclo de servicio del 10 %.