Resultados: 29
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Modo canal
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 765En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1.913En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.200

SMD/SMT TO-LL N-Channel 650 V 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1.547En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1.495En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 135 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
Hoja de datos
428En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 124En existencias
800Fecha prevista: 31/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 123 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 560En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 109 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 648En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1.102En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1.021En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 247En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 778En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 78 A 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1.088En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1.200En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.200

SMD/SMT TO-LL N-Channel 650 V 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 456En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 786En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1.592En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 61 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET 1.163En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 52 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 775En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1.050En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 52 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1.055En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.200

SMD/SMT TO-LL N-Channel 650 V 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET 1.129En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 55 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 755En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1.056En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 55 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1.200En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.200