Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs are developed using a proprietary trench-assisted planar technology for high-speed performance. The technology enables an extremely low RDS(ON) increase vs. temperature, which results in low power losses across the full operating range. Available in 650V and 1200V variants, these MOSFETs are optimized for faster switching speeds, higher efficiency, and increased power density. GeneSiC G3F SiC MOSFETs offer high-speed, cool-running performance, with up to a +25°C lower case temperature. The thermally enhanced TOLL package for the 650V variant provides space and thermal management advantages. The 1200V models offer the power needed for next-generation EVs and industrial applications. Typical applications include AI data centers, EV roadside superchargers, onboard chargers (OBC), energy storage systems (ESS), and solar power solutions.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Modo canal
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 790En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1.933En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.200

SMD/SMT TO-LL N-Channel 650 V 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1.191En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1.552En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1.642En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 61 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1.565En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 135 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
Hoja de datos
435En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 424En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 123 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 565En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 109 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 648En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1.112En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 247En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 778En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 78 A 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1.129En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1.200En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.200

SMD/SMT TO-LL N-Channel 650 V 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 461En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 786En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET 1.163En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 52 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 775En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1.058En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 52 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1.055En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.200

SMD/SMT TO-LL N-Channel 650 V 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET 1.129En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 55 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 755En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1.056En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 55 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1.200En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.200