Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

Tipos de Semiconductores
Cambiar vista de categoría
Resultados: 95
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS

onsemi MOSFET de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
Hoja de datos
1.292En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1


onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
Hoja de datos
2.549En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

onsemi Controladores de puerta con aislamiento galvánico Isolated Dual-Channel IGBT Gate Driver with >8mm Creepage and Clearance
Hoja de datos
951En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000


onsemi MOSFET de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
Hoja de datos
569En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1


onsemi MOSFET de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
Hoja de datos
430En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1


onsemi Controlador de puerta Isolated High Current Gate Driver Isolated High Current Gate Driver
Hoja de datos
19.089En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000


onsemi MOSFET de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
Hoja de datos
1.824En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

onsemi MOSFET de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L
Hoja de datos
3.923En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

onsemi Controladores de puerta con aislamiento galvánico IGBT gate driver
Hoja de datos
24.079En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000


onsemi Controladores de puerta con aislamiento galvánico IGBT gate driver
Hoja de datos
8.270En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000


onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
Hoja de datos
1.511En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
Hoja de datos
1.014En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800


onsemi MOSFET de SiC 20MW 1200V
Hoja de datos
996En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1


onsemi MOSFET de SiC 60MOHM
Hoja de datos
265En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
onsemi Controladores de puerta con aislamiento galvánico GALVANIC ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
Hoja de datos
3.326En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
Hoja de datos
2.060En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800


onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
Hoja de datos
2.176En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

onsemi Controlador de puerta 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
Hoja de datos
1.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000



onsemi Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
Hoja de datos
931En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
Hoja de datos
686En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800


onsemi MOSFET de SiC 60MOHM 900V
Hoja de datos
1.230En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1


onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
Hoja de datos
1.326En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1


onsemi Controlador de puerta Isolated High Current Gate Driver Isolated High Current Gate Driver
Hoja de datos
1.297En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS 20MOHM 900V
Hoja de datos
1.861En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800


onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
Hoja de datos
257En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1