Resultados: 50
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor Tecnología Id: corriente de drenaje continuo Vds (Tensión separación drenador-fuente) Frecuencia de operación Ganancia Energía de salida Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Empaquetado
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET VHV6 10W PULSE PLD1.5 1En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 100

N-Channel Si 100 V 960 MHz to 1.4 GHz 25 dB 10 W - 65 C + 150 C Screw Mount PLD-1.5 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors MHT1803B
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET 300W 200MHZ TO-247-3L 368En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
N-Channel Si 1.8 MHz to 50 MHz 28.2 dB 300 W + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50
Bobina: 50

N-Channel Si 2.6 A 105 V 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.2 dB 700 W - 55 C + 150 C SMD/SMT NI-780GS-4L Reel
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 240
Múlt.: 240

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET MV9 55W 12.5V TO270WB4 No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

N-Channel Si 7.5 A 40 V 764 MHz to 940 MHz 17.5 dB 57 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270WB-4 Reel
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET MV9 800MHZ13.6V No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

N-Channel Si 10 A 40 V 764 MHz to 941 MHz 15.7 dB 32 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50
Bobina: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET VHV6 250W 50V NI780H No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50
Bobina: 50

N-Channel Si 100 V 960 MHz to 1.215 GHz 20.3 dB 275 W + 150 C Screw Mount NI-780 Reel
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET VHV6 1400MHZ 50V No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50
Bobina: 50

N-Channel Si 100 V 1.2 GHz to 1.4 GHz 18 dB 330 W + 150 C SMD/SMT NI-780S Reel
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET VHV6 1.25KW ISM NI1230H No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 150
Múlt.: 150
Bobina: 150

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230H-4 Reel
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET 150W 2700-3100MHz No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50
Bobina: 50

N-Channel Si 1.8 A 65 V 2.7 GHz to 3.1 GHz 17.2 dB 150 W - 40 C + 150 C Screw Mount OM-780-2 Reel
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET VHV6 500W 50V NI780H No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50
Bobina: 50

N-Channel Si 110 V 960 MHz to 1.215 MHz 19.7 dB 500 W + 150 C Screw Mount NI-780H-2 Reel
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET HV6 900MHZ 10W No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

N-Channel Si 125 mA 68 V 450 MHz to 1.5 GHz 18 dB 10 W + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 240
Múlt.: 240
N-Channel Si 1.8 MHz to 50 MHz 28.2 dB 330 W + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET HV6 900MHZ 10W TO270-2N No en almacén Plazo producción 10 Semanas

N-Channel Si 125 mA 68 V 450 MHz to 1.5 GHz 18 dB 10 W + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel
NXP Semiconductors AFM912NT1
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET Airfast RF Power LDMOS Transistor, 12 W CW over 136 to 941 MHz, 7.5 V No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si 4.7 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 13.3 dB 15.7 W - 40 C + 150 C SMD/SMT DFN-16 Reel
NXP Semiconductors AFT05MP075N-54M
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET AFT05MP075N-54M No en almacén Plazo producción 1 semana
Mín.: 1
Múlt.: 1
N-Channel Si 8 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 18.5 dB 70 W - 40 C + 150 C SMD/SMT
NXP Semiconductors AFT05MS004-200M
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET AFT05MS004-200M No en almacén Plazo producción 1 semana
Mín.: 1
Múlt.: 1
N-Channel Si 4 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 20.9 dB 4.9 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT-89-3
NXP Semiconductors AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET AFT27S006N-1000M No en almacén Plazo producción 1 semana
Mín.: 1
Múlt.: 1
N-Channel Si 65 V 728 MHz to 3.7 GHz 16 dB 28.8 dBm - 40 C + 150 C SMD/SMT PLD-1.5W
NXP Semiconductors AFT09MP055GNR1
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET MV9 55W 12.5V TO270WB4G No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

N-Channel Si 7.5 A 40 V 764 MHz to 940 MHz 17.5 dB 57 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270WB-4 Reel
NXP Semiconductors AFV121KHR5
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50
Bobina: 50

N-Channel Si 112 V 960 MHz to 1.215 GHz 16.9 dB 1.23 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT NI-1230H-4S Reel
NXP Semiconductors MRF6VP121KHR5
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET VHV6 1KW 50V NI1230H No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50
Bobina: 50

N-Channel Si 110 V 20 dB 1 kW + 150 C Screw Mount NI-1230-4 Reel
NXP Semiconductors MRFE6VP61K25GSR5
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET VHV6 1.25KW ISM NI1230GS No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 50

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230GS-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors MRFE6VP5150GNR1
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V No en almacén Plazo producción 99 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

N-Channel Si 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 26.1 dB 150 W - 40 C + 150 C Screw Mount TO-270WBG-4 Reel
NXP Semiconductors MRFE8VP8600HR5
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET 140 W Avg. over 470-870 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50
Bobina: 50

N-Channel Si 17 A 115 V 470 MHz to 860 MHz 21 dB 140 W - 40 C + 150 C SMD/SMT NI-1230H-4 Reel