Resultados: 34
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor Tecnología Id: corriente de drenaje continuo Vds (Tensión separación drenador-fuente) Frecuencia de operación Ganancia Energía de salida Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Empaquetado
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V 207En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250

N-Channel Si 105 V 720 MHz to 960 MHz 19.2 dB 100 W - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-780-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors AFT27S006NT1
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V 1.248En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

N-Channel Si 65 V 728 MHz to 3.7 GHz 16 dB 28.8 dBm - 40 C + 150 C SMD/SMT PLD-1.5W Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V 38En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz 59En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 50

N-Channel Si 43 A 179 V 1.8 MHz to 400 MHz 24.4 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V 24.096En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

N-Channel Si 4 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 20.9 dB 4.9 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT-89-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET VHV6 1.25KW ISM NI1230H 138En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 50

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230H-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET 65V LDMOS Transistor 150En existencias
211Fecha prevista: 08/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 50

N-Channel Si 43 A 179 V 1.8 MHz to 400 MHz 25.1 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C Screw Mount NI-1230H-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET RF Power 6.000En existencias
4.000Fecha prevista: 25/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

N-Channel Si 3 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 15 dB 8 W - 40 C + 150 C SMD/SMT DFN-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V 65En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 50

N-Channel Si 36 A 135 V 1.8 MHz to 500 MHz 23.7 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT NI-1230H-4S Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET VHV6 300W50VISM NI780H-4 271En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 50

N-Channel Si 130 V 1.8 MHz to 600 MHz 26.5 dB 300 W + 150 C Screw Mount NI-780-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors MHT1803B
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET 300W 200MHZ TO-247-3L 300En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
N-Channel Si 1.8 MHz to 50 MHz 28.2 dB 300 W + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET MV9 UHF 13.6V 418En existencias
2.500Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 500

N-Channel Si 7.5 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 17.7 dB 33 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET MV9 800MHZ 13.6V 219En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 500

N-Channel Si 10 A 40 V 764 MHz to 941 MHz 15.7 dB 32 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V 147En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

N-Channel Si 4.7 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 16.2 dB 6.5 W - 40 C + 150 C SMD/SMT HVSON-16 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET MV9 75W 12.5V TO270WB4 8En existencias
500Fecha prevista: 01/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 500

N-Channel Si 8 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 18.5 dB 70 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-WB-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET VHV6 10W PULSE PLD1.5 1En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 100

N-Channel Si 100 V 960 MHz to 1.4 GHz 25 dB 10 W - 65 C + 150 C Screw Mount PLD-1.5 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET HV6E 60W TO270-2N FET 106En existencias
1.000Fecha prevista: 13/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 500

N-Channel Si 1.5 A 66 V 1 GHz 21.1 dB 14 W + 150 C Screw Mount TO-270 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
2.612Fecha prevista: 29/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

N-Channel Si 8.8 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 21.1 dB 115 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-220-3 Tube
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
480Fecha prevista: 01/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET MV9 UHF 13.6V
989Fecha prevista: 01/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 500

N-Channel Si 7.5 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 17.7 dB 33 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET LANDMOBILE 7W PLD1.5W
9.208Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

N-Channel Si 3 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 15.2 dB 7.3 W - 40 C + 150 C SMD/SMT PLD-1.5 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
239Fecha prevista: 01/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
N-Channel Si 1.8 MHz to 50 MHz 28.2 dB 330 W + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
249Fecha prevista: 24/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
No
N-Channel Si 8.8 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 21.1 dB 115 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-220-3 Tube
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V Plazo producción 53 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V No en almacén Plazo producción 53 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

N-Channel Si 64 mA 105 V 728 MHz to 960 MHz 19.1 dB 2 W - 40 C + 150 C SMD/SMT PQFN-24 Reel, Cut Tape, MouseReel