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NTBG014N120M3P

Name: onsemi NTBG014N120M3P
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG014N120M3P
Price: 23.77 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTBG014N120M3P

Fabr. N.º:

NTBG014N120M3P

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1

Hoja de datos:

NTBG014N120M3P Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)
	18,28 €	14.624,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	104 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	20 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.63 V
Qg (carga de compuertas):	337 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	454 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	14 ns
Transconductancia delantera: mín.:	29 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	40 ns
Serie:	NTBG014N120M3P
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	74 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	24 ns

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PCN

Product Change Notification 2024-06-26 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M3P EliteSiC MOSFETs

onsemi M3P EliteSiC MOSFETs are a solution for high-voltage applications with a maximum voltage rating of 1200V. The onsemi M3P MOSFETs come in D2PAK7, TO-247-3LD, and TO-247-4LD packages/ The MOSFETs provide versatility for various design requirements. With a maximum gate-to-source voltage of +22V/-10V, EliteSiC MOSFETs boast improved parasitic capacitances, including Coss, Ciss, and Crss.

MOSFET de carburo de silicio (SiC) NTBG014N120M3P

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