IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 650V HB

Los IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 650V HB de STMicroelectronics son IGBT desarrollados con una estructura avanzada Trench Gate y Field Stop propietaria. Estos dispositivos representan un equilibrio óptimo entre pérdidas de conducción y de conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia. Gracias a la tecnología Trench-Gate Field-Stop de alta velocidad avanzada de ST, estos IGBT incluyen una cola de apagado de corriente de colector mínima, así como una tensión de saturación muy baja (Vce(sat)), hasta 1,6 V (típica), para minimizar las pérdidas de energía durante la conmutación y en el encendido. Además, un coeficiente de temperatura VCE(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada permiten un funcionamiento más seguro en paralelo.
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics STGB20H65DFB2
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

IGBT Transistors